hパラメータ

バイポーラトランジスタを４端子網として扱うときには、トランジスタをｈパラメータで表現する。

入力電圧をＶ1、出力電圧をＶ2、入力電圧をＩ1，出力電流Ｉ2として

Ｖ1＝ｈi・Ｉ1＋ｈr・Ｖ2

Ｉ2＝ｈf・Ｉ1＋ｈo・Ｖ2

の形式で入出力関係を表現する。ｈは各項の係数である。

トランジスタは3端子素子なので、入出力で共有する端子を各係数の後に添える。エミッタ共有ならhie、hfeなどと表現する。

このうち回路設計で重要なのはhie、とｈfeである。直流的なコレクタ電流とベース電流の比はhFEで、ｈfeとは厳密には区別されるが、hfe≒ｈFEとして計算しても大きな差はふつう無い。データシートに記載されるのはｈＦＥのほうである。

ｈieは、エミッタ接地増幅器において、電圧増幅率の計算に必要な係数であるが一般には記載されない。ｈieは基本的に自分で算出するパラメータであり、hie＝VT/IBの値をもつ。VTは熱電圧と呼ばれ室温で26ｍＶの値を持つ。

hieを自力で求められないと、エミッタ接地増幅器の電圧利得を計算できない。多くの本には4端子網を用いての電圧利得の計算式が記載されているが、hieの求め方についてはほとんど記述されてない。集積回路の本では触れられていることもあるが・・・。

若い頃、hieの求め方が判らず、データーシートにも記載が無いのでずいぶん悩んだ。

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