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2006年10月10日 (火)

世界初の?3D MEMS

Photo_23 特許公報図面である。特許 第148****号。

発明者は単独。

高感度圧力センサで、恐らくは世界初の3D-MEMS構造である。

シリコン圧力センサは、構造の多次元化とともに同じプロセスでおよそ1桁づつの高感度化を達成した。

この構造により、当時の加工レベルで50Paを0.1%で計測できる性能を備えたシリコンダイアフラム型圧力センサを実現した。このセンサ構造に関して、私の名は特許公報にのみ残っているに過ぎないが、某学会の大会でオープニング招待講演を張れる学術価値があった。類似しているが、その招待講演よりも欠点が少なくかつ公表時期も早い。

この特許は私の生きた証。アナログエンジニアとしての誇り。

この構造は50Paを計測する能力を持ちながら、1000hPa以上の耐圧を達成している。バルーン効果による大撓み変形により、応力集中を避ける構造体だ。1気圧に耐えることは絶対圧、微小圧力センサになりうるとともに、製造プロセスの工程管理に大きな意味を持つ。

この工学的意味を理解し、その強度及び感度、非直線性を手計算で予言して、製作前に書かれたものがこの特許である。出願は1981年。当然、国内外で成立した。

学術論文としては、当時の上長他の名前で複数件フルペーパとして発表されている。しかし、この公報がある限り私のオリジナリティは崩れない。発表されたフルペーパーはすべて私の許諾を得ない盗用論文であると断定できる。これが特許である。

それでも、学位論文を提出するときには、関係者に頭を下げて、論文を自分の1ペーパとして使用許諾を得ることになった。屈辱である。

このような時代・風潮があったらから、私の世代以降の人間の多くはうまく立ち回る方向に向かった。

いま、再びアナログエンジニアの時代が来る。切り捨てられようとした人間復活の時代が来る。しかし、アナログエンジニア、それも酸いも甘いも知る時代が生んだ異端児がアナログエンジニアである。

この投資を回収するとともに、新たな世代に向けて、アナログエンジニアはメッセージを贈る。

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コメント

センサーはカメラ、家電品、ロボット等々あらゆる製品分野で重要性が増してきている昨今です。
センサーにはアナログ回路は欠かせませんね。この重要性も更に増してきていることでしょう。

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