接合電圧の温度係数

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後何日で食べごろになるかなー

Ｓｉダイオードやベースエミッタ間電圧VBEの温度係数は約-2ｍＶ／℃といわれる。文献によっては-1.7ｍＶ／℃から-2.3ｍＶ位の数字がでてくる。

接合電圧の温度依存性は、接合電圧が大きくなるとその絶対値は小さくなる。

理論計算で得た温度係数αを表す式は

α＝-（Ｖｊ-Ｅｇ）/Ｔ　　Ｅｇ：その温度でのバンドギャップ、Ｖｊ：接合電圧　　Ｔ：絶対温度

である。拡散電流が主体であるか、再結合電流が主体であるかに依存してＥｇの補整項が数10ｍＶはいる。

アナログエンジニアはこの式を用いて、電子回路の温度係数予想に使用している。

接合の直列抵抗が寄与してくる高電流密度領域では、寄生抵抗の＋の温度係数が加算されるのでＶｊが0.8Ｖ程度と高いと、見かけ上の温度係数は-1.5ｍＶ以下まで下がることがある。

極端に低い電流密度では－３ｍＶ／℃くらいまで上昇する。

接合電圧の温度係数は一定ではないのだ。半導体素子の使い方に依存する。

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