トランジスタの入力抵抗

←またまた，猫グッズ。御影石の猫。玄関においてある。我が家の幸せの守り神。　と，思っている。

トランジスタの微分入力抵抗は，従来の電子回路教科書では単にhieと示される。数値の入った測定例も教科書ではほとんど診たこと無い。

しかし，hieが判明しているものとして，トランジスタ増幅回路の議論は進む。

多くのメーカーのトランジスタのデーターにはhieの記載は原則としてない。

なぜか？

hieはベース電流依存性が高いので，ｈＦＥおよび実働コレクタ電流の影響を直接受ける。

稀に，メーカーサイドからhieなどのｈパラメータの記載があるデーターシートを見かけることがあるが，その数値は整合性が取れていない。

貧弱な設備でも計測できるｈieの計測方法を紹介する。

用意するものは可変電源，1MΩ前後の抵抗，テスタ，電流計。　ベースに適当な抵抗を接続し，電源電圧と電源・ベーす電圧を接続する。これから，ベース電流が1μＡ程度まで実測できるので，コレクタ電流を測れば電流増幅率hFEが判る。

次に，ベース・コレクタを接続する。このベースに種々の抵抗を接続してIC-VBE特性を測定する。

このデーターからIC=IshFE×EXP(VBE/VT)の式の確認と，Isを求めることができる。VTは熱電圧で（ボルツマン定数ｋ×絶対温度/電子電荷）で常温で26ｍＶである。

ベース電流IB=Iｓ×ＥＸＰ（ＶＢＥ/ＶＴ）なので，これを電圧微分して，トランジスタの入力抵抗ｈieはＶＴ/ＩＢに等しくなる。

ＩＣ＝1ｍＡ，hFE=100→IB=10μAだから，hie=2.6kΩである。

こんな計算方法，集積回路の世界では常識であるが，個別部品で組むアナログ回路設計者には行き渡っていない。

大学では，「電気回路」理論と同時に電子回路を教えることが多いので，増幅率の計算に出てくるhieのデータ測定など教えないのが普通だし。

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