IGBT

ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅ　gate bipolar trannsister），は日本語では絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタである。パワーＭＯＳ-ＦＥＴよりも大電力用途が主体で，その素子特性はＭＯＳＦＥＴに近い。

ＩＧＢＴはｎチャネルパワーＭＯＳ-ＦＥＴとpnpバイポーラトランジスタの異種ダーリントン接続により，かなり，その特性を表現できる。

入力はＭＯＳ-ＦＥＴのゲート，出力はpnpトランジスタのエミッタ，共通端子はＭＯＳ-ＦＥＴのソースとpnpトランジスタのコレクタの接続点で内部で，ＭＯＳ-ＦＥＴのドレインとpnpトランジスタのベースが接続されている。

トランジスタ部の電流増幅率は，1-5程度と低く高耐圧バイポーラトランジスタに近いとされる。

等価回路がＭＯＳ-ＦＥＴトップの異種ダーリントン接続だから，入力特性はｎチャネルＭＯＳ-ＦＥＴに近い。

ＯＮ時の飽和電圧は，トランジスタのＶＢＥに，パワーＭＯＳ-ＦＥＴがトランジスタを駆動するために必要なＶＧＤを加算した値0.8-2Ｖ程度となる。

一般的にＩＧＢＴはパワーＭＯＳ-ＦＥＴより低速ではあるが，単素子で10ｋＶＡ程度まで扱うことができる。また，ＩＧＢＴはＭＯＳ-ＦＥＴとバイポーラトランジスタの複合素子なので，電子回路的感覚で大電力スイッチングを行うことが出来る。

扱う電流が大きいので，配線の寄生インダクタンスの影響に十分注意を払った布線と熱設計が必要である。

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