ダーリントン接続

たとえば，npnトランジスタＱ１，Ｑ２の2個でのダーリントン接続は，コレクタＣ1，Ｃ2を接続，Ｑ1のエミッタＥ1とＱ2のベース接続しＱ１のベースをベース端子，Ｅ2をエミッタ，Ｃ2をコレクタ端子と見なせば，電流増幅率の非常におおきいバイポーラトランジスタを等価的に得られる。

ワンチップ化されたダーリントントランジスタでは，Ｂ2-Ｅ2間やＢ1-Ｅ1間に抵抗が接続されている場合が多くある。これらの抵抗は，ダーリントントランジスタの電流増幅率hFEに大きなコレクタ電流依存性を与える。したがって，実際に使用する際には，データーシート上の情報から，実働条件でのｈＦＥを温度条件を勘案して決定する必要がある。

また，ダーリントン接続を行うとＣ-Ｅ間の飽和電圧がＶＢＥ＋ＶＣＥ（sat）≒0.8-1Ｖ程度に増加する。単体のトランジスタなら0.1Ｖ前後である。したがって，この手のトランジスタをスイッチング用途に使用する場合には，ＯＮ電圧の増加と，その増加に伴うＯＮ損失電力に留意する必要がある。ダーリントン接続に伴うＯＮ電圧の問題は実務上十分注意する必要がある。

ＩＣダーリントントランジスタでは，その図記号が単体トランジスタと同じものを使われる場合もある。しかし，使用に際しては，内部等価回路を意識しなければならない回路も数多く存在する。

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