トランジスタにＢ-Ｅ間抵抗

トランジスタのベース（Ｂ）とエミッタ（Ｅ）に抵抗を接続した回路は，ＩＣ化ダーリントン接続トランジスタなどでは良く見かける。

その抵抗により，低電流領域でので見かけ上の電流増幅率（ｈＦＥ）を抑制できる。

極，小さな電流領域ではベース電流に比例してｈＦＥが増加する。

おおきな電流領域では，本来のｈＦＥ近くまで増加する。

昔？の重金属をキャリアキラーとしてドープしたＳＷ用トランジスタの特性を想起させる。

トランジスタのＢＥ間に抵抗を接続するだけで，解析的に解くのは困難になるが，回路シミュレータを使えばその効果を可視化できる。

単体トランジスタでは，ＢＥ間抵抗は，ＯＦＦ時の漏れ電流を減少させ，ベースオープンのＣＥ間耐圧を上昇させる。

市販品は大抵ダーリントントランジスタの形態をとっており，このようなトランジスタはスイッチング用途に好都合である。

ただし，同種ダーリントン接続はＶＣＥ-ＩＣ曲線図を見れば明白であるが，飽和電圧が1Ｖ程度になる。

5Ｖ系電源を使うときには少し電圧的に苦しい設計となる。

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