FETは電圧制御か

高速スイッチングをパワーFETにさせるとき，通常はオン期間が延びる。

パワーFET では，静的には制御のために電力を消費しないが，動的にはかなり大きい電流駆動能力をその制御回路に求められる。

パワーFETの入力端子G-S間容量Cissは，基本的にコンデンサと等価である。

たとえばCiss＝1000ｐF，電圧スイング10V，SW時間0.1μｓなら，CV=Iｔから，100ｍAの駆動能力がその制御回路に必要になる。かなり大きな電流である。

ドレイン電圧が変化する瞬間には，G-D間のCgdを充電する電流も必要になる。

パワーFETを高速駆動するときには，ゲート制御信号は低インピーダンスである必要がある。スイッチング時間は各部の充放電時間でおよそ決まる。

パワーFETは電圧制御であるが，制御側から見るとコンデンサに見える。

ターンオンはG-S間電圧が3-4Vで始まる品種が多いが，オン抵抗を低減するために10数Vまで駆動する。しかし，ターンオフの際には多くの場合，Cissの放電は0V以上で行われる。したがって充電時間は短時間で，放電時間はより延びる。

このため，通常の駆動回路ではオフ時間がオン時間が延長する傾向にある。

プッシュプルスイッチング回路では，オン時間の重複は避けなければならないので，通常は両オフ時間を設ける。

この制御には様々な工夫があり，不用意にプッシュプル回路のスイッチング素子としてトランジスタを使用すると上下トランジスタの同時オンにより過大な電流が流れる。（クロスカレントコンダクション）

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