トランジスタ対の温度ドリフト

理想的なバイポーラトランジスタペアでは，同一コレクタ電流でVBE（ベース・エミッタ電圧）差の温度依存性は0となる。

1：　VBEの温度係数を約－2mV／℃とすれば，ペアトランジスタ間の温度差が1/1000℃あれば-2μV/℃となる。

最高レベルのオペアンプではさらに1桁下の温度ドリフトであるから，集積回路中のペアトランジスタは1/10000℃程度まで温度差が変わらないということになる。

2：　また，VBE差の温度係数はΔVBEの絶対温度に比例するから，0.1μV／℃を実現するには，ΔVBEは0.3ｍVでなければならない。

3：　ΔVBEはコレクタ電流比の影響も受ける。ΔVBE＝ｋT/q・ｌｎIc1/Ic2であるから，この温度係数を実現するには，コレクタ電流比は0.5％以内の誤差である必要がある。

超低ドリフトのオペアンプはおもにVBEを一致させるトリミングが施されているとされているが，このように厳しくVBE差を制御して製作されている。

サブμV／℃クラスの低ドリフトアンプの出現により，複雑なチョッパスタビライズドアンプを使うことなく低ｍV増幅が近年は可能になった。もちろん，巧みなパターンレイアウトにより，チップ内での温度勾配も低減した上での性能である。

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