VBE電圧は一定か？

バイポーラトランジスタのベース・エミッタ間電圧ＶＢＥは接合温度と動作条件によって大きく変化する。

Ｓｉトランジスタでは，リニア回路において0.1～1Ｖ位まで使われる。

一般的な動作条件では，ＶＢＥ＝0.6～0.7Ｖ位で，チップ面積にも依存する。比較的高電流密度で使われる集積回路中のバイポーラｎpnトランジスタでは常温で0.8Ｖ程度と聞いている。

1Ｖ以上のコレクタ・エミッタ間電圧では，ＶＴを熱電圧（常温26ｍＶ）として

ＩＣ＝Ｉｓ・exp(VBE/VT)

でほぼ表されるので，1点のＶＢＥ電圧と電流の実測データがあれば，他の電流でのＶＢＥを求めることができる。

＋1桁の電流変化で約＋60ｍＶ変化する。広い電流範囲でＶＢＥを実測すれば，電流の対数とＶＢＥが比例する領域が数桁にわたって存在する。

この実験は，バイポーラトランジスタやダイオード特性の原初的体験となる。

アナログエンジニアは自宅での計器・電源でＶＢＥ-logIC曲線をＶＢＥ＝0.01Ｖから1Ｖ程度まで幾度か測定している。小信号トランジスタでは，たとえばＩＣ＝1ｍＡでのＶＢＥの測定時，素子を手で掴んでみると良い。今の季節なら＋20℃近くの温度上昇により，マイナス30-40ｍＶの変化が起こるはずである。

ＶＢＥ電圧を一定と考えるのは回路のＤＣバイアス計算をするときくらいかな。そのときも，少し電源電圧が低いとＩＣ＝1ｍＡでのＶＢＥを元に，実働条件でのＶＢＥを計算する。

ダイオード（Ｂ－Ｅ間），定電流源（Ｃ-Ｅ）間におき，ベース電流ＩＢのｈＦＥ倍＝コレクタ電流ＩＣのモデルが私の回路技術の出発点である。

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