パワーＦＥＴの駆動

パワーＦＥＴの駆動は容量負荷なので，遅いスイッチング時にはほとんど電力を消費しない。

しかし，高速スイッチングにおいては，0.1Ａ前後のピーク電流を駆動側が供給可能でなければならないので，駆動方法に工夫が必要である。

寄生容量はゲート（Ｇ），ソース（Ｓ），ドレイン（Ｄ）の各端子間にある。

ＯＦＦ→ＯＮの際には，まずＧ-Ｓ間容量を閾値電圧まで充電する。閾値を越えるとＤ-Ｓ間に電流が流れ始めＤ-Ｇ間の容量がミラー容量となって，充電電流の割りにＧ-Ｓ電圧の上昇が少ない時間帯が生じる。この時間帯が，ドレイン電圧が変化している時間帯であり，実質のＳＷ時間となる。負荷が定電流性ならば，この時間帯においてはＧ-Ｓ電圧はほぼ平坦である。

Ｇ-Ｓ電圧をオーバードライブすることで，パワーＦＥＴは低いＯＮ抵抗となる。オーバードライブ電圧は閾値電圧より高いので，通常の駆動方法ではＯＦＦ→ＯＮの際にパルス幅が延伸する。

また，ロジックレベル駆動用パワーＦＥＴ以外では，10Ｖ前後までＧ-Ｓ間を駆動するので，5Ｖ系ロジック回路からレベル変換してパワーＦＥＴを駆動する。この際，5Ｖ系と駆動回路の電源の立ち上げ順序が問題になることもある。

パワーＭＯＳ-ＦＥＴでは，Ｄ-Ｓ間に寄生ダイオードが存在し，このダイオードを高速ダイオードとして積極的に利用する回路もある。回路図に記載されていなくとも，このダイオードがないと動作しない回路もある。

パワーＭＯＳ-ＦＥＴ，使い方次第でさまざまな顔を見せる。

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