パワーＭＯＳ-ＦＥＴ

←秋の蛙。あまり見かけないこげ茶模様で家の外壁にへばりついていた。

パワーＭＯＳ-ＦＥＴは、スイッチング用途には便利な素子である。入力容量Cissと帰還容量Crssを考慮すれば、スイッチング時間をかなり正確に予測できる。ゲート漏れ電流は大抵無視できるので、駆動回路の能力から充放電速度が予測できるためである。

オン抵抗が正であるから並列運転も容易である。

安全動作領域は広く、時間が短ければ耐電圧×許容電流まで掛けられるので、スイッチング時間さえある程度早ければ、詳細に検討する必要もない。この性質は、高電圧スイッチングの時に設計を簡明にする。

ＯＮ抵抗は、駆動電圧から予測できるので、スイッチングロスの計算も容易である。素子を適切に選べば、かなり低いＯＮ電圧となる。

パワーＭＯＳ－ＦＥＴ　は駆動回路側から見れば、容量性負荷である。

しかし、リニア回路に使用する場合、あちらこちらに寄生容量が存在するので安定性解析の見通しが悪くなる。

リニアアンプのプッシュプル段に使用する際には、必要なバイアス電圧とその温度係数がピンチオフ電圧の関数となるので、一工夫を要する。アナログエンジニアは通常、０温度係数点を設計中心とするが、ピンチオフ電圧のバラツキを考慮するとリモートカットオフ特性のオーディオ用パワーＦＥＴを用いることもある。

少ない事例ではあるが、パワーＭＯＳ-ＦＥＴでの個別部品アンプを量産ベースで設計するにはバイポーラトランジスタで組むより手間がかかる様な気がする。

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