電流増幅率ｈＦＥ

バイポーラトランジスタの電流増幅率ｈＦＥは、トランジスタ回路を設計する上で重要なパラメータのひとつである。

特殊なものでなければ、ｈＦＥは１００前後、最近では２００程度のものが広く出まわっている。トランジスタの構造上、一般に高耐電圧の品種のほうがｈＦＥを高く設計できない。

ｈＦＥが通常１００程度あることは、主電流（コレクタ電流）に対し十分小さな（１０倍程度）のバイアス回路を構成し、ベース電流がバイアス回路電流に対し無視できる（１０倍程度）設計が可能であることを意味する。１０倍違いでラフに省略設計してもそこそこの設計精度が得られるのが１００という数字である。

ｈＦＥはトランジスタの品種、ロット間ばらつき、ロット内ばらつき、温度、電圧、コレクタ電流の関数である。種々の要因を考えれば、上限/下限で１０倍変動することも珍しくない。

実装された1個のトランジスタでは、温度（周囲温度、自己加熱）とアーリー効果に伴うコレクタ電圧、動作時の電流値に依存する。

多くのトランジスタ回路はベース電流を制御し、その結果としてベース電圧が決まる。

ｈＦＥは通常2倍/１００℃程度変化する。温度に敏感である。したがって、複数のＶＣＥ－ＩＣ曲線を使うアーリー電圧を求める実験では、なるべく自己加熱の少ない条件を選び、かつパルス的に手早く測定することが大切である。うまく測定すると３本以上のＶＣＥ－ＩＣ曲線の左側の外挿線がＶＣＥ軸のほぼ1点で交わる。これがアーリー電圧である。

アナログエンジニアの保有機材では有効数字１．５桁程度でアーリー電圧が求まる。

アーリー電圧は数１０Ｖ～１００数１０Ｖ程度の値であることが多いが、電圧影響などを詳しく解析するには必要なデーターである。しかし、アーリー効果を考慮したＶＣＥ－ＩＣ曲線が描かれていない模式図がなんと多いことか。

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