エミッタフォロワ

エミッタフォロワ（コレクタ接地）はベース端子が入力信号となり、エミッタ端子が出力端子となっている。接地端子であるコレクタは入力の基準電位ではなく、かつ、エミッタに抵抗RLまたは電流シンクが接続されている。

GNDからみると、入力信号が増える→VBE電圧が上昇する→コレクタ電流≒エミッタ電流が増える→エミッタ端子電圧が上昇する→VBE電圧を抑制する　との負帰還がかかっている。

安直にはVBE電圧＋エミッタ負荷電圧＝入力電圧となる。

負帰還が掛っているので、ｈパラメータでの単純表現には不向きである。

エミッタフォロワは信号源から電流をあまりとらないので、入力インピーダンスが高く負荷の変動を比較的受けない利得≒1の正相増幅器となる。

抵抗負荷の場合、大振幅動作させるとVBEの非線形性により波形が歪む。この波形ひずみは、最大電流をI1とし、最小電流をI2とすると、ln(I1/I2)に比例する非線形性を発生する。また、直流的にはVBEだけ出力はレベルシフトされる。

DC増幅/バッファするには、pnpトランジスタとnpnトランジスタで２段のエミッタフォロワを組む。この回路形式で、負荷を定電流化すると非線形性も大幅に軽減される。この方法は集積回路に向くので、たまに、集積回路中で使われることもある。

エミッタフォロワに対応するFET回路はソースフォロワであるが、ソースフォロワは入力インピーダンスが非常に高いが、個別部品で組む場合VGSの非線形性とばらつき、およびゲートに寄生する容量が大きいので使いずらい。

トランジスタの接地形式の中で、負帰還を伴うエミッタフォロワはｈパラメータ表現にはあまり好適ではないが、エミッタ接地、ベース接地をｈパラメータで説明し、エミッタフォロワを省略してしまうのは混乱の元凶ではないか。

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