正相パワーブースター

正相パワーブースターは簡単にはOPアンプにトランジスタ（FETを含む）段を追加して電力容量を拡大する。

アナログエンジニアは正相パワーブースターで、良い思い出がない。

正相増幅器の発振では、負帰還経路にCを入れても電圧利得を1以下に下げることができない。寄生発振したらあちこちに帯域制限や位相補償の対策を施すしかない。

エミッタフォロワやソースフォロワ回路でも、発振の可能性は常にある。

いやらしいのはパワーFETの発振だ。大量のCをゲート周りに最接近で入れるか、ロスの大きいEMI対策用のフェライトビーズを使うかが主な対策手段だ。寄生発振はしばしばその素子の周波数帯域の上限付近で生じる。

素子のリードのインダクタンス成分と寄生容量が関係するみたいだ。

私は制御理論の専門家ではなく、寄生容量の位置は判るが定量化は簡単ではない。系統的な戦略/対策方策が立てられないのだ。

発振は、出力を絞った時に生じることもあれば、最大出力でも生じ、出力の全域での確認が必要になる。この点も時間がかかる要因だ。

反転ブースターでは、帯域を絞ることを覚悟すれば種々の方策がある。

ここが正相と反転回路形式の大きな違いだ。

プッシュプル形式だとクロスオーバー付近での不連続性も気になるところだ。バイアスが不足すると、寄生発振と言うか、リミットサイクルが表面化しやすい、と言うのが本音である。

簡単に見える正相パワーブースターは案外難しい課題を含んでいる。

『人気Blogランキング』の「自然科学」部門に参加しています。今日も応援の貴重な１票をよろしくお願いします。【押す】