トランジスタのスイッチング時間

トランジスタのスイッチング時間は、駆動回路次第で大きく変化する。データシートの条件より低インピーダンスで駆動すると高速スイッチングが可能になる。

スイッチング時間はバイポーラトランジスタでは、適当なベース駆動抵抗にスピードアップコンデンサを付加するとターンオン、ターンオフともに高速になる。IB=ICの条件で駆動すると、品種によっては著しい改善がみられる。

アナログエンジニアは１Wクラスのバイポーラトランジスタを用いた自励式磁気マルチバイブレータやパワーFETスイッチンング回路などでデータシート以上の高速化を経験している。

バイポーラトランジスタもFETも駆動回路形式の関係でターンオフ時間がターンオン時間より延びやすいがいずれの時間も短縮できると私は考えている。

実際に経験した事例では、自励式飽和形磁気マルチバイブレータでは120ｋHz発振でもスイッチング時間が目立たない程度や通常のパワーFETで20ns、1000V/μsまでできている。

私はデーターシートのスイッチング時間を読む時には、その測定条件に十分注意を払う。親切なデーターシートには駆動回路まで記載されているものもある。

データーシートの数値は条件付きの数値である。

駆動条件が変われば、スイッチング時間も、また大幅に変わりえるのだ。

そこまでの理解なくして、データーシートは読んだとは言えないのだ。逆にデーターシートに記載されていない条件で、スイッチング時間がどのような方向に変わるか予測できれば回路屋として、かなり腕の立つ人であろう。

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